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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-313 - C1-318 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982142 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-313-C1-318
DOI: 10.1051/jphyscol:1982142
PROPRIETES ELECTRONIQUES DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN
J. Oualid1, H. Amzil2, J.P. Crest2, J. Dugas2, G. Mathian2, M. Zehaf2 et S. Martinuzzi21 Laboratoire des Matériaux et Composants à Semi-conducteurs, Ecole Nationale Supérieure de Physique de Marseille, Centre Universitaire de Saint-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 13, France
2 Laboratoire de Photoélectricité, Faculté des Sciences et Techniques de Saint-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 13, France
Résumé
L'activité électronique des joints de grains dans le silicium polycristallin Wacker-SILSO de type P a été caractérisée par une méthode L.B.I.C. à longueur d'onde variable. La vitesse de recombinaison interfaciale des joints de grains est comprise entre 104 cm/s e t 6.104 cm/s, la densité d'états d'interface entre 3.1011 cm-2 et 4.1011 cm-2 en supposant que ces états présentent un seul niveau d'énergie situé au milieu de la bande interdite. Les défauts intragrains sont partiellement saturés sous éclairement AM1 alors que les joints de grains ont une activité recombinante qui dépend peu du niveau d'excitation.
Abstract
The electronic activity of grain boundaries in P type Wacker-SILSO polycrystalline silicon was characterized by L.B.I.C. at variable wave length. The interfacial recombination velocity of grain boundaries are between 104 cm/s and 6.104 cm/s, the density of interface states between 3.1011 cm-2 and 4.1011 cm-2 by assuming that these states present a single energy level near tlie middle of the band gap. The intragrain defects are partially saturated under AM1 while the grain boundaries present a recombining activity which weakly depends on the excitation level.