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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-307 - C1-312 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982141 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-307-C1-312
DOI: 10.1051/jphyscol:1982141
MORPHOLOGY AND RESISTIVITY OF CVD POLYCRYSTALLINE SILICON LAYERS CONTAINING CARBON
M. Hendriks, S. Radelaar, Th.H. de Keijser et R. DelhezLaboratory of Metallurgy, Delft University of Technology, Rotterdamseweg 137, 2628 AL Delft, The Netherlands
Résumé
Les auteurs ont étudié l'influence de l'addition de carbone sur la structure cristalline et la resistivité des couches minces de silicium, formées par la décomposition simultanée de SiH4, C2H2 et PH3 à 1000°C. Ils ont déterminé la teneur en carbone, la morphologie, la texture, la taille des grains et les dilatations de réseau. On a trouvé que le carbone a un effet prononcé sur la structure cristalline et sur la resistivité de ces couches minces. Il existe une corrélation entre la structure et la resistivité, qui s'explique qualitativement.
Abstract
The influence of the addition of carbon on the crystalline structure and resistivity of polycrystalline silicon layers grown by simultaneous decomposition of SiH4, C2H2 and PH3 at 1000°C studied. Carbon content, morphology, preferred orientation, crystallite size, lattice strains and resistivity were determined. It was found that carbon has a pronounced effect on the crystalline structure and resistivity of the layers. A correlation exists between the structure and resistivity which can be understood qualitatively.