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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-83 - C1-88 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982112 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-83-C1-88
DOI: 10.1051/jphyscol:1982112
MODELISATION DE LA HAUTEUR DE BARRIERE DES JOINTS DE GRAINS DANS UNE JONCTION - INFLUENCE DE L'ÉCLAIREMENT
J. Dugas1, J.P. Crest1 et J. Oualid21 Laboratoire de Photoélectricité, Faculté des Sciences et Techniques de Saint-Jérôme, Université Aix-Marseille III, 13397 Marseille Cedex 13, France
2 Laboratoire des Matériaux et Composants à Semi-conducteurs, Ecole Nationale Supérieure de Physique de Marseille, Centre Universitaire de Saint-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 13, France
Résumé
Cette communication présente une étude de la variation de la hauteur de barrière d'un joint de grains dans une jonction à l'équilibre ou sous polarisation directe. L'influence du niveau d'éclairement sur la hauteur de barrière et par conséquent sur la vitesse de recombinaison interfaciale est analysée en fonction du type de distribution et de la densité des états d'interface ainsi que du dopage au voisinage des joints de grains. Il a été vérifié, qu'au delà d'un certain niveau d'éclairement, la hauteur de barrière diminue linéairement avec la différence d'énergie entre les quasi niveaux de Fermi. La vitesse de recombinaison interfaciale effective d'un joint de grains augmente exponentiellement avec la hauteur de barrière.
Abstract
This paper presents a study of the variation of the grain boundary barrier height in a junction under equilibrium or direct biased. The influence of the excitation level on the barrier height and consequently on the effective interfacial recombination velocity depends on the distribution and density or interface states and also on the doping at the vicinity of grain boundaries. It has been verified that the barrier height decreases linearly with the difference of the quasi-Fermi levels for high injection. The effective interfacial recombination velocity of a grain boundary increases exponentially with the barrier height.