CORRELATION ENTRE CONTRASTES EN EBIC ET STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM

Résumé
Afin d'établir des relations entre l'activité électrique et la structure cristalline des joints de grains dans le silicium, des échantillons polycristallins et bicristallins ont été observés en MEB en mode induit (EBIC) et en MET à basse (120KeV) et haute tension (2MeV). La plupart des joints de grains étudiés donnent lieu à un fort contraste en EBIC. Cependant, parmi ceux observés, un certain nombre présente un contraste en EBIC faible ou nul auquel nous associons une très faible activité électrique. Ces joints ont tous été caractérisés comme des joints cohérents. Leurs relations de désorientation intergranulaire sont de coïncidence et leurs interfaces correspondent aux plans de symétrie associés à ces relations de coïncidence. Ces observations ont été faites pour des joints de coïncidence Σ9 et Σ25.

Abstract
The electrical activity and crystalline structure of grain boundaries in polycrystalline and bicrystalline silicon have been studied by means of SEM-EBIC and TEM-HVEM. Most of the grain boundaries investigated show a strong EBIC contrast. Nevertheless, some of them present a very low EBIC contrast or none at all which can be associated with a very weak electrical activity. Their intergranular misorientation relationships can be described in terms of coincidence site lattices and their interfaces correspond to symmetry planes of such misorientations. These observations have been made for coincidence boundaries Σ9 and Σ25.