Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-33 - C1-43
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982106
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-33-C1-43

DOI: 10.1051/jphyscol:1982106

ENERGY OF GRAIN BOUNDARIES IN SEMICONDUCTORS

H.J. Möller1, 2

1  Technische Universität Hamburg-Harburg, Arbeitsbereich Halbleitertechnologie, Harburger Schloßstr. 20, 2100 Hamburg-Harburg, F.R.G.
2  Institut für Metallphysik, Universität Göttingen, Hospitalstr. 12, 34 Göttingen, F.R.G.


Résumé
Les énergies des joints de flexion de coïncidence d'axe [011] ont été calculées à partir de modèles géométriques. Pour ? = 70.53°, les structures qui ne comportent pas de liaisons pendantes peuvent être considérées comme une paroi de dislocations coin. Leur énergie peut être calculée à partir de l'energie élastique des dislocations individuelles. Pour des angles plus grands, les structures comportent des liaisons pendantes. Les calculs montrent qu'une reconstruction des liaisons dans la direction [011] peut diminuer l'énergie totale.


Abstract
Starting from geometrical models of the atomic structure of symmetric [011]-CSL-tilt boundaries their energies were calculated. For ? = 70.53° structures with no dangling bonds occur which can be considered as edge dislocation arrays. Their energies can be calculated from the elastic energy of individual dislocations. For larger angles the structures contain dangling bonds. The computations show that a reconstruction of bonds along the[011] direction can lower the total energy.