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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-215 - C7-220 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981725 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-215-C7-220
DOI: 10.1051/jphyscol:1981725
Semiconductor Physics Institute, Lithuanian SSR, Academy of Sciences, Vilnius, USSR
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-215-C7-220
DOI: 10.1051/jphyscol:1981725
NOISE AND DIFFUSIVITY OF HOT ELECTRONS IN n-TYPE InSb
V. Bareikis, A. Galdikas, R. Miliu¡yté, J. Pozhela et ViktoraviciusSemiconductor Physics Institute, Lithuanian SSR, Academy of Sciences, Vilnius, USSR
Résumé
On a mesuré et à l'aide de la méthode de Monte-Carlo, on a calculé le bruit des électrons chauds dans n-InSb à la température 77 K et 10 K. On a examiné l'influence de la dispersion des porteurs de charge par les phonons optiques ainsi que par les impuretés ionisées sur les caractéristiques de bruit de 1'antimoniure d'indium.
Abstract
The experimental results and Monte-Carlo calculations of hot electron noise are presented for n-InSb at 77 K and 10 K. The influence of inelastic optical as well as ionized impurity scattering on the noise characteristics is examined.