ELECTRON TRANSFER EFFECT IN INTRINSIC TELLURIUM SINGLE CRYSTALS

Résumé
Des recherches expérimentales et théoriques concernant le transfert des porteurs et les effets des porteurs chauds en tellure intrinsèque ont été effectuées. Les caractéristiques courant - tension enregistrées au moyen de la technique des impulsions nanosecondes indiquent une résistance différentielle, si l'intensité du champ dépasse une valeur de 3.5 kV/cm. A l'aide de sondes électriques des domaines mouvants de champs intensifs ont été mis en évidence. La vitesse de dérive monte à 7.10⁶ cm/s. Le champ seuil et le coefficient de Hall ont été mesurés aux températures élevées et à une pression hydrostatique. Les résultats indiquent l'existence d'une deuxième bande de conduction, qui se trouve 0.26 - 0.38 eV au-dessus de la première bande, et avec une mobilité des porteurs relativement faible. Les valeurs du champ seuil et de la mobilité électronique, obtenues selon la méthode Monte-Carlo, correspondent bien aux valeurs expérimentales.

Abstract
Experimental and theoretical studies of charge transport and hot carrier effects have been made in intrinsic tellurium. Pulse measurements of current-voltage characteristics have shown a negative differential resistance at fields above 3.5 kV/cm. Moving high-field domains were observed by potential probe measurements. The velocity of the domain was 7.10⁶ cm/s. Hydrostatic pressure measurements of threshold field and Hall coefficient were performed at elevated temperatures, which suggest the existence of a second, low mobility conduction band located 0.26 - 0.38 eV above the first one. Reasonable agreement was obtained between the measured magnitudes of threshold field and electron mobility and the results of Monte Carlo calculations.