Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-147 - C6-150
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979630
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-147-C6-150

DOI: 10.1051/jphyscol:1979630

DISLOCATION MOBILITY AND MECHANICAL BEHAVIOUR OF Si CRYSTALS

K. Sumino

The Research Institute for Iron, Steel and Other Metals, Tohoku University, Sendai 980, Japan


Résumé
Les caractéristiques du mouvement d'ensemble des dislocations pendant la déformation de cristaux de silicium déformés à vitesse de déformation constante sont étudiées à partir de la mobilité des dislocations isolées. Un régime permanent de déformation dans lequel la densité et la vitesse moyenne des dislocations mobiles ne dépendent pas de la déformation s'etablit à partir du milieu du stade 0. Les caractéristiques de ce régime permanent peuvent se déduire de l'hypothèse suivante : le mouvement d'ensemble des dislocations s'ajuste de façon à ce que la contribution des dislocations mobiles à la contrainte d'écoulement prenne la valeur minimale compatible avec la vitesse de déformation imposée.


Abstract
The characteristics of the collective motion of dislocations during the deformation of silicon crystals at constant strain-rates are investigated on the knowledge of the mobility of isolated dislocations. The steady state of deformation where the density and the mean velocity of moving dislocations are constant with respect to the strain appears in the deformation stage after the middle of stage 0. The characteristics of this steady state of deformation is well described by the following hypothesis : the collective motion of dislocations is realized so that the component of the flows stress which is determined by the state of such collective motion takes the minimum value to maintain the externally given strain-rate.