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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-143 - C6-145 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979629 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-143-C6-145
DOI: 10.1051/jphyscol:1979629
Departement of Physics, University of Tokyo Bunkyo-ku, Tokyo 113, Japan
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-143-C6-145
DOI: 10.1051/jphyscol:1979629
VELOCITIES AND INTERNAL FRICTION OF DISLOCATIONS IN III-V COMPOUNDS
T. NinomiyaDepartement of Physics, University of Tokyo Bunkyo-ku, Tokyo 113, Japan
Résumé
Des mesures directes des vitesses de dislocation dans les composés III-V montrent que la vitesse de la dislocation β est beaucoup affectée par les impuretés des donneurs, et qu'elle est beaucoup plus petite que celle de la dislocation α. La comparaison avec la vitesse de la dislocation vis amène à conclure que dans le cristal de type n, la dislocation β à 30° a la mobilité la plus lente.
Abstract
Direct measurements of dislocation velocities in III-V compounds show that the velocity of β-dislocation is greatly affected by donor impurities and much smaller than that of α-dislocation. Comparison with the screw dislocation velocity leads to the conclusion that in n-type crystal 30° β-dislocation has the slowest mobility.