Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-139 - C6-141
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979628
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-139-C6-141

DOI: 10.1051/jphyscol:1979628

DISLOCATION MOTION NEAR A SURFACE

H.J. Möller et H. Ewaldt

Institut für Metallphysik, Hospitalstr. 12, Universität 3400 Göttingen, F.R.G.


Résumé
On a utilisé la méthode du double etching et la topographie aux rayons X pour étudier le comportement de demi boucles de dislocation isolées au voisinage de leurs points d'émergence à la surface dans le Ge et le Si, pour des températures comprises entre 0,6 et 0,7 Tfusion. On observe une compétition entre deux mécanismes : la réduction de taille des boucles et le glissement dévié des segments vis émergeant à la surface. On a déterminé la vitesse de rétrécissement des boucles ainsi que la fréquence du glissement dévié. On compare les énergies d'activation mesurées pour les deux processus avec les calculs théoriques.


Abstract
The behaviour of single dislocation half loops at a surface during annealing in the temperature range T ≈ 0.6 - 0.7 T melting was investigated both by the double etch - pit method and by X-ray topography in Ge and Si. Two competing processes were observed : the shrinkage of the loops and the cross slip of the screw segments intersecting the surface. The velocity of shrinkage and the cross slip rate were determined. The measured activation energies of both processes are compared with theoretical calculations.