ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN GALLIUM ARSENIDE

Résumé
Nous avons déformé de manière dynamique des monocristaux de GaAs de type p et n avec des densités de porteurs de charge aussi basses que possible. Pour recevoir des grandes densités de dislocations, ils étaient courbés plastiquement jusqu'à des rayons de courbures de l'ordre de 2x10^-3 m. Pour mesurer l'effet Hall et la conductivité avant et après déformation plastique, l'influence des dislocations sur les propriétés électriques a été étudiée. D'autres échantillons non-déformés par la chaleur, servaient à contrôler la contamination pendant le processus de déformation. La densité des porteurs de charge et leur mobilité d'Hall diminuaient pour les deux sens de courbure. Les résultats sont discutés en termes d'états de "dangling bonds" introduits dans la bande interdite.

Abstract
p- and n-type GaAs single crystals with as low as available initial carrier concentrations were dynamically deformed by plastic bending up to high dislocation densities. The radii of curvature were of the order of 2x10^-3 m. Measuring the Hall effect and conductivity before and after plastic deformation the influence of dislocations on the electrical properties was investigated. The contamination during deformation was controlled by specimens which remained undeformed while heated. Both the carrier concentration and their Hall mobility decreased after deformation, independent of the sign of bending. The results are discussed in terms of "dangling bond"-states introduced into the gap.