Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-59 - C6-61
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979612
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-59-C6-61

DOI: 10.1051/jphyscol:1979612

APPLICATION OF EPR AND ELECTRIC MEASUREMENTS TO STUDY DISLOCATION ENERGY SPECTRUM IN SILICON

V.A. Grazhulis

Institute of Solid State Physics, Academy of Sciences of the USSR, Chernogolovka 142432 U.S.S.R.


Résumé
On examine des données obtenues par les méthodes de mesure de la RPE, d 'effet Hall et de la photoconduction micro-ondulatoire pour des cristaux de silicium avec une haute densité des dislocations. On montre qu'on peut utiliser avec succès un modèle diélectrique du spectre Mott-Habbarde pour l'explication du spectre énergétique des liaisons rompues des dislocations.


Abstract
The data obtained by EPR, Hall effect and microwave photoconductivity measurements for silicon crystals with high density of dislocations are discussed. It is shown that Mott-Hubbard dielectric spectrum can successfully be used to explain dislocation dangling bond (DDB) energy spectrum.