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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-63 - C6-65 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979613 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-63-C6-65
DOI: 10.1051/jphyscol:1979613
DISLOCATION ELECTRONIC STATES FROM SCHOTTKY DIODES IN SILICON
S. Mantovani et E. MazzegaIstituto di Fisica dell'Università, 41100 Modena, Italy
Résumé
Nous avons mesuré à la température de l'azote liquide la capacité à haute fréquence en fonction de la tension inverse d'une jonction Schottky Pd2Si-Si dont le silicium de type n'a été précédemment déformé. Les résultats vérifient le modèle de la bande demi-plein associée à la présence de dislocations, et montrent que le niveau d'énergie pour la dislocation neutre est situé à 0,40 eV au-dessus de la bande de valence.
Abstract
By high frequency measurements at liquid nitrogen temperature of the capacitance as a function of the applied bias on Schottky Pd2Si-Si diodes, obtained from previously deformed Si, it has been possible to confirm the validity of the model of the half-filled band associated with the dislocations, with the energy level of the neutral dislocation at 0.40 eV above the valence band.