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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
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| Page(s) | C6-883 - C6-887 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766187 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-883-C6-887
DOI: 10.1051/jphyscol:19766187
MÖSSBAUER STUDIES ON DAMAGE SITES OF ISOTOPE-SEPARATOR-IMPLANTED IMPURITY ATOMS IN SILICON
A. NYLANDSTED LARSEN, G. WEYER, B. I. DEUTCH, E. ANTONCIK and H. LOFT NIELSENInstitute of Physics, University of Aarhus, DK-8000 Aarhus C, Denmark
Résumé
En utilisant la radiation γ Mössbauer de 24 keV de 119Sn, différents sites de dommage dans le silicium ont été étudiés. Le niveau Mössbauer était peuplé de la décroissance radioactive de 119mTe. Des dommages par irradiation ont été créés par implantation (a l'aide d'un séparateur d'isotopes) des noyaux de la source radioactive. Le comportement de l'implantation et l'occupation des sites endommagés sont différents pour les implantations de Te ou de Sb et Sn. Tandis que Sb ou Sn se trouvent en prédominance sur des sites substitutionels, interstitiels et de dommage. Des expériences de recuit utilisant la chaîne de décroissance 119mTe → 119Sb → 119 →Sn révèlent différentes propriétés de recuit pour Te et Sb pour les mêmes sites de dommage. On trouve que les agglomérats endommagés de Te dans le silicium formés par l'implantation de Te sont très stables. Ces mêmes agglomérats contenant Sb (provenant de la décroissance radioactive de Te) recuisent entre 400 et 600 °C. On a trouvé que l'oxygène contenu dans le cristal implanté avait une grande influence sur la formation des agglomérats endommagés. On suggère que ceci est dû à un mécanisme indirect de piégeage des lacunes par les atomes d'oxygène.
Abstract
Using the 24-keV Mössbauer γ radiation of 119Sn, different damage sites in silicon have been studied. The Mössbauer level was populated from the radioactive decay of 119mTe. Radiation damage was created by isotope-separator implantation of the radioactive-source nuclei. The implantation behaviour and the occupation of damage sites are different for implantations of Te or of Sb and Sn. While Sb or Sn predominantly end on substitutional sites, Te is distributed over substitutional, interstitial, and damage sites. Annealing experiments utilizing the decay chain 119mTe → 119Sb → 119Sn reveal different annealing properties for Te and Sb at the same damage sites. Te-damage agglomerates in silicon formed by the implantation of Te are found to be very stable. The same agglomerates containing Sb (from the radioactive decay of Te) anneal between 400 and 600 °C. A large influence of the oxygen content of the host crystal on the formation of the damage agglomerates was found. This is suggested to be due to an indirect mechanism of the trapping of vacancies by oxygen atoms.