MÖSSBAUER STUDIES OF ¹²⁹I ATOMS IMPLANTED IN α- AND β-TIN

Résumé
Les deux raies du spectre Mössbauer de ¹²⁹I implanté dans le α-Sn ont un déplacement isomérique qui se place bien sur la loi linéaire reliant le déplacement isomérique au paramètre du réseau cristallin et trouvée précédemment pour les autres semi-conducteurs du groupe IV. Les raies correspondant à un déplacement isomérique positif sont attribuées à des impuretés en positions interstitielles tandis que les raies ayant des déplacements isomériques négatifs seraient dues à des impuretés substitutionnelles. L'ensemble peut être compris sur la base d'un modèle simple. L'implantation de ¹²⁹I dans β-Sn conduit à un spectre à 2 raies identiques à celui obtenu à partir de α-Sn transformé en β-Sn par chauffage. Des changements de phases successifs montrent que le positionnement des impuretés est réversible au cours de transformation de α → β → α ou β → α → β.

Abstract
The two single line components of the Mössbauer spectrum of ¹²⁹I implanted in α-Sn have isomer shifts that form a linear continuation of the isomer shift vs lattice spacing behaviour earlier found for ¹²⁹I impurities in the other group IV semiconductors. The components with positive shift are interpreted as belonging to impurities in interstitial sites and those with negative shift to impurities in substitutional sites. All shifts can be understood on the basis of a simple model. Implants of ¹²⁹I in β tin yield two line spectra identical to those found for implants in α tin converted to β tin by heating. Repeated phase transitions show that the impurity location is reversible after an α → β → α or β → α → β change.