| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C6-893 - C6-896 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766189 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-893-C6-896
DOI: 10.1051/jphyscol:19766189
ISOMER-SHIFT SYSTEMATICS OF 57Co IMPLANTED IN GROUP IV SEMICONDUCTORS
G. WEYER1, 2, G. GREBE1, A. KETTSCHAU1, B. I. DEUTCH3, A. NYLANDSTED LARSEN4 and O. HOLCK51 Institut für Atom- und Festkörperphysik, Freie Universität Berlin, Germany
2 Institute of Physics, University of Aarhus.
3 Institute of Physics, University of Aarhus, Denmark
4 Institute of Physics, University of Aarhus, Denmark
5 The Niels Bohr Institute, Copenhagen, Denmark
Résumé
On a implanté du 57Co radioactif dans du diamant, silicium, germanium et étain α au moyen d'un séparateur d'isotopes. Les spectres Mössbauer de haute résolution des atomes d'impureté, obtenus par une technique de comptage par résonance, montre une structure complexe à raies multiples. Cette structure se décompose en deux groupes de raies. Différentes dépendances presque linéaires des déplacements isomériques de ces groupes sur la distance du plus proche voisin des cristaux implantés sont observées. A partir des valeurs de densité électronique et à partir des similarités d'autres atomes Mössbauer implantés dans des éléments du groupe IV, on suggère que les deux groupes de raies proviennent des impuretés situées sur des sites (réguliers ou irréguliers) substitutionels et interstitiels, respectivement.
Abstract
Radioactive 57Co has been implanted in diamond, silicon, germanium, and α-tin by means of an isotope separator. High-resolution Mössbauer spectra of the impurity atoms obtained by resonance-counting technique show a complicated multiline structure. This structure decomposes into two groups of lines. Different nearly linear dependences of the isomer shifts of these groups on the nearest-neighbour distance of the host crystals are observed. From the inferred electron-density values and from similarities to other Mössbauer atoms implanted in group IV elements, it is suggested that the two groups of lines originate from impurity atoms on regular or disturbed substitutional and interstitial sites, respectively.