| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-213 - C4-216 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976435 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-213-C4-216
DOI: 10.1051/jphyscol:1976435
ELECTRON CORRELATION EFFECT AT FINITE TEMPERATURE
K.A. CHAO and K.-F. BERGGRENDepartment of Physics and Measurement Technology University of Linköping, Linköping, Sweden
Résumé
Le schéma variationnel de Gutzwiller est étendu à température finie en construisant un ensemble orthogonal des fonctions d'essai pour les électrons corrélés et en calculant l'entropie des équations de la thermodynamique. L'accroissement de la masse effective de l'électron, la susceptibilité de spin de Pauli et le déplacement de Knight sont obtenus pour tout le domaine de température et des forces de corrélation. Cependant, la chaleur spécifique est renforcée seulement pour kB T/Ɗ < 0,11 (Ɗ = largeur de bande). La théorie est appliquée afin d'expliquer les résultats expérimentaux sur Si : P.
Abstract
The Gutzwiller variational scheme is extended to finite temperature by constructing an orthogonal set of trial functions for the correlated electrons and by deriving the entropy from the thermodynamic equations. The enhancements of the electron effective mass, the Pauli spin susceptibility and the Knight shift are obtained for the entire range of temperature and correlation strength. However, the electronic specific heat is enhanced only for kB T/Ɗ < 0.11 (Ɗ = bandwith). The theory is used to explain the experimental results on phosphorus-doped silicon.