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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C5, Mai 1979
Colloque International du C.N.R.S.La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths |
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| Page(s) | C5-385 - C5-387 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19795139 | |
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-385-C5-387
DOI: 10.1051/jphyscol:19795139
Position of the 4f level in γ-cerium
A. Platau et S.-E. KarlssonDepartment of Physics and Measurement Technology, Linköping University, S-581 83 Linköping, Sweden
Résumé
Nous présentons les mesures de spectroscopie photoélectronique effectuées soit dans la bande ultraviolet (UPS He II), soit dans la bande X (XPS MgKα) sur des films de cérium pur et de cérium exposé l'oxygène à la température ambiante. La comparaison des spectres UPS et XPS des deux types de films permet de conclure que le niveau 4f dans le cérium γ est situé à (1,9 ± 0,2) eV par rapport au niveau de Fermi. Ces résultats montrent que la transition γ-α est liée à une transition de Mott des électrons 4f et à une hybridation subséquente avec la bande sd.
Abstract
The present paper concerns ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) (He II) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) (MgKα) measurements on clean cerium films, and on cerium films exposed to oxygen at room temperature. From comparison of the UPS and XPS spectra on clean and oxidized cerium the 4f level binding energy in γ-cerium is concluded to be (1.9 ± 0.2) eV relative to the Fermi level. Our results indicate that the γ-α transition is due to a Mott transition of the 4f electron and a subsequent hybridization with the sd band.