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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-123 - C3-127 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975323 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-123-C3-127
DOI: 10.1051/jphyscol:1975323
ELECTROREFLECTANCE AND BAND STRUCTURE OF ZnSiAs2-xPx ALLOYS
J. GALLAY1, A. DESCHANVRES1, S. GAILLARD2 and C. ALIBERT21 Equipe de Cristallographie et Chimie du Solide ERA n° 305 Université de Caen, F 14032 Caen, France
2 Centre d'Etudes d'Electronique des Solides U. S. T. L., F 34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
L'étude de la solution solide ZnSiAs2-xPx montre que la variation des paramètres a et c en fonction de la composition suit la loi de Végard. L'étude de cette solution solide par électroréflectance, à température ambiante, a permis d'établir l'évolution des transitions directes en fonction de la composition et de déterminer le gap de ZnSiP2 : Γ1 → Γ6 = 3,42 eV. Les valeurs expérimentales du champ cristallin et de l'éclatement spin-orbite obtenues à partir du modèle quasi cubique sont en bon accord avec les valeurs théoriques.
Abstract
We verify the Vegard law for ZnSiAs2-xPx solid solution. We follow by electroreflectance the Γ15 → Γ1 transitions in the entire range of composition and give the direct threshold Γ1 → Γ6 = 3.42 eV for ZnSiP2. From the quasicubic model we obtain the crystal field and the spin-orbit splitting which are compared with theory.