| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C3-129 - C3-135 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975324 | |
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-129-C3-135
DOI: 10.1051/jphyscol:1975324
ANION SHIFT INFLUENCE ON BAND STRUCTURE OF CRYSTALS WITH CHALCOPYRITE LATTICE
Ju. I. POLYGALOV1, A. S. POPLAVNOI1 and A. M. RATNER21 Kemerovo State University, Kemerovo, USSR
2 Siberian Physical Technical Institute, Tomsk, USSR
Résumé
Dans cet article, nous calculons la structure de bandes d'énergie de ZnSiAs2, ZnSnAs2, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2 par la méthode du pseudo-potentiel avec et sans tenir compte du déplacement anionique. On montre que ce dernier apporte des changements considérables à la structure de bande. Les constantes de déformation optiques ont été calculées dans l'approximation des ions rigides pour le sommet de la bande de valence et le bas de la bande de conduction pour les mêmes cristaux.
Abstract
In this paper we calculate the energy band structure of ZnSiAs2, ZnSnAs2, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2 with and no account of anion displacements by the pseudopotential method. It is shown that account of the anion displacements leads to considerable changes in the energy band structure. In the approximation of rigid ions the constants of optical strain were calculated for the valency band top and for the bottom of conductivity band of crystals under consideration.