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J. Phys. Colloques
Volume 36, Numéro C3, Septembre 1975
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
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| Page(s) | C3-115 - C3-121 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1975322 | |
EXPOSÉS et COMMUNICATIONS présentés à la Seconde Conférence Internationale sur les Composés Semiconducteurs Ternaires / Second International Conference on Ternary Semiconducting Compounds
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-115-C3-121
DOI: 10.1051/jphyscol:1975322
Institute of Semiconductor Physics of the Academy of Sciences of the Lithuanian SSR, K. Pozhelos 52, Vilnius 232600, USSR
J. Phys. Colloques 36 (1975) C3-115-C3-121
DOI: 10.1051/jphyscol:1975322
OPTICAL SPECTRA OF THE A2B2C52TYPE SEMICONDUCTORS
G. AMBRAZEVICHIUS, G. BABONAS, J. KAVALIAUSKAS, G. KRIVAITE and A. SHILEIKAInstitute of Semiconductor Physics of the Academy of Sciences of the Lithuanian SSR, K. Pozhelos 52, Vilnius 232600, USSR
Résumé
Les spectres d'absorption et les spectres dérivés obtenus par la méthode de modulation de longueur d'onde ont été étudiés au voisinage du bord d'absorption fondamentale de composés ternaires A2B2C52 à gap pseudo-direct. Les spectres de réflexion de quelques composés A2B2C52 à gap direct ont été mesurés dans la région de 1 à 12 eV et exploités par analyse de Kramers-Kronig.
Abstract
The wavelength modulated and conventional absorption spectra of pseudodirect bandgap A2B2C52 compounds have been investigated in the region of the absorption edge. The reflectance spectra of some direct bandgap A2B2C52 semiconductors have been measured in the range 1 to 12 eV and the Kramers-Kronig analysis has been performed.