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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-315 - C4-317 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988466 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-315-C4-317
DOI: 10.1051/jphyscol:1988466
STATISTICAL ANALYSIS OF IMPLANT ANGLES EFFECTS ON ASYMMETRICAL NMOSFETs CHARACTERISTICS AND RELIABILITY
P. DARS, T. TERNISIEN d'OUVILLE, H. MINGAM et G. MERCKELCNET-CNS, BP 98, F-38243 Meylan Cedex, France
Résumé
L'analyse statistique de la dissymétrie des caractéristiques électriques des transistors NMOS LDD traduit l'influence des angles d'implantation sur la variation du non recouvrement grille-drain (ou grille-source) observé sur les dispositifs réalisés sur une même plaque et sur les différentes plaques d'un même lot de fabrication. La conséquence de cette dispersion sur le vieillissement des structures montre l'importance du suivi de ce paramètre pour la fiabilité des transistors et la prudence nécessaire pour l'interprétation des résultats de stress électrique effectué sur les transistors.
Abstract
Statistical analysis of asymmetry in LDD NMOSFETs electrical characteristics shows the influence of implantation angles on non-overlap variation observed on devices realized on a 100 mm wafer and within the wafers of a batch . The study of the consequence of this dispersion on the aging behaviour illustrates the importance of this parameter for reliability and the necessity to take it in account for accurate analysis of stress results.