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J. Phys. Colloques
Volume 49, Number C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-817 - C4-820 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884172 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-817-C4-820
DOI: 10.1051/jphyscol:19884172
Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs (CNRS-UA), ENSERG/INPG, 23, Av. des Martyrs, F-38031 Grenoble Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-817-C4-820
DOI: 10.1051/jphyscol:19884172
A NEW METHOD FOR THE EXTRACTION OF MOSFET PARAMETERS AT AMBIENT AND LIQUID HELIUM TEMPERATURES
F. BALESTRA, L. HAFEZ et G. GHIBAUDOLaboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs (CNRS-UA), ENSERG/INPG, 23, Av. des Martyrs, F-38031 Grenoble Cedex, France
Résumé
Une méthode originale pour l'extraction des paramètres des Transistors MOS est présentée en fonction de la température. Cette méthode, qui repose sur une combinaison des caractéristiques de transfert donnant le courant de drain et la transconductance, permet d'obtenir des valeurs satisfaisantes pour les paramètres de tension de seuil et de mobilité.
Abstract
An original method for MOSFET parameter extraction is presented as a function of temperature. This method, which relies on combining drain current and transconductance transfer characteristics, enables reliable values of the threshold voltage and mobility parameters.