GENERATION LIFETIME AND HOLD TIME OF SMALL MOS DEVICES

N.O. PEARCE; A.R. PEAKER; B. HAMILTON

doi:doi:10.1051/jphyscol:1988406

Issue		J. Phys. Colloques Volume 49, Number C4, Septembre 1988 ESSDERC 88 18th European Solid State Device Research Conference


Page(s)		C4-37 - C4-40
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988406

ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-37-C4-40
DOI: 10.1051/jphyscol:1988406

GENERATION LIFETIME AND HOLD TIME OF SMALL MOS DEVICES

N.O. PEARCE¹, A.R. PEAKER² et B. HAMILTON²

¹ Bio-Rad Laboratories, 780 Montague Expressway, Suite #201, San Jose, CA95131, USA.
² Centre for Electronic Materials and the Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Manchester Institute of Science and Technology, PO Box 88, GB-Manchester M60 1QD, Great-Britain

Résumé
Une nouvelle méthode pour la caractérisation de transientes d'inversion dans des dispositifs métal-oxide-semiconducteur est reportée. L'utilisation de la Spectroscopie Isothermique des Transientes de Niveaux Profonds permet de séparer les courants de génération d'origines différentes. La combinaison de graphes d'activation avec des graphiques 'Zerbst' donne une caractérisation complète de dispositifs de dimensions allant jusqu'à moins d'un micromètre.

Abstract
A new method for characterising inversion transients in metal-oxide-semiconductor devices is reported. The technique uses Isothermal Deep Level Transient Spectroscopy to separate generation currents from various sources. The combination of activation graphs with Zerbst plots gives a complete characterisation of devices with dimensions down to sub-micron levels.