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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-461 - C4-464 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983454 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-461-C4-464
DOI: 10.1051/jphyscol:1983454
BAND STRUCTURE OF VACANCIES AND DISLOCATIONS IN DIAMOND
R. Jones et T.E.G. KingDepartment of Physics, University of Exeter, Stocker Road, Exeter EX4 4QL, Devon, U.K.
Résumé
Nous décrivons les résultats d'un calcul à partir des principes fondamentaux, des niveaux et bandes d'énergie de lacunes idéales, et de dislocations partielles dans le diamant. Le potentiel est construit en superposant les potentiels atomiques à un potentiel d'échange local. Pour calculer les niveaux d'énergie, nous utilisons la méthode récursive généralisée pour les intégrales de recouvrement.
Abstract
The results of a first principles calculation of the energy levels and bands of ideal vacancies as well as partial dislocations in diamond are described. The potential is constructed by the superposition of atomic potentials, together with a local exchange potential. The recursion method, generalised to deal with overlap integrals, is used to compute the energy levels.