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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-453 - C4-459 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983453 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-453-C4-459
DOI: 10.1051/jphyscol:1983453
Department of Theoretical Physics, University of Umeå, S 901 87 Umeå, Sweden
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-453-C4-459
DOI: 10.1051/jphyscol:1983453
ELECTRON STATES ASSOCIATED WITH PARTIAL DISLOCATIONS IN DIAMOND
A. PerssonDepartment of Theoretical Physics, University of Umeå, S 901 87 Umeå, Sweden
Résumé
Les états des électrons relatifs aux dislocations partielles de 90° et de 30° dans le diamant ont été calculés en utilisant la méthode de liaisons fortes à partir des principes fondamentaux. On considère aussi la reconstruction du réseau et l'utilisation des éléments de matrice non idéals pour les atomes avec des liaisons pendantes.
Abstract
The electron states due to the 90° and 30° -partial dislocations in diamond have been calculated by a first principles tightbinding method. Reconstruction and use of non-ideal matrix elements for the dangling bond atoms is also considered.