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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-15 - C4-24 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983402 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-15-C4-24
DOI: 10.1051/jphyscol:1983402
LA STRUCTURE DU COEUR DES DISLOCATIONS DANS LE SILICIUM CZ ETUDIEE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE
A. Bourret, J. Desseaux-Thibault et F. LanconCentre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale et de Physique du Solide, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France
Résumé
Les images de diverses dislocations <011> par microscopie électronique haute résolution de silicium CZ ont fourni des renseignements structuraux sur le coeur. Dans beaucoup de cas ces coeurs sont saturés par des impuretés oxygène qui vont jusqu'a former des cylindres de précipités sur certaines d'entre elles.
Abstract
<011> dislocations in Czochralski (CZ) silicon have been investigated by high resolution electron microscopy. Polycristals as well as deformed materials have been observed. The core structure of 60° dissociated dislocation, Frank, Lomer, stair rod and [100]dislocations has been precised. The only pure and intrinsic structures are those of the 90° Schockley partial. For all others oxygen impurity segregation is evidenced : this seqregation may modify the core structure as for the Lomer stabilizing a configuration which is different from the Hörnstra model. The Frank and [100] dislocations contain a precipitate cylinder all along the < 011> core axis. The precipitate phase has been identified to be coesite, a high pressure SiO2 phase.