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J. Phys. Colloques
Volume 44, Number C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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Page(s) | C4-3 - C4-13 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983401 |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-3-C4-13
DOI: 10.1051/jphyscol:1983401
ELUCIDATION OF DISLOCATION CORE STRUCTURES IN SILICON BY HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY
G.L. HutchisonDepartment of Metallurgy & Science of Materials, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX1 3PH, U.K.
Résumé
Des images 'atomiques' de silicium sont décrites et il est montré que les microscopes électroniques à haute résolution existant n'ont pas une résolution suffisante pour imager des simples colonnes d'atomes. La sensibilité de telles images aux variations d'épaisseur et défocalisation est illustrée. Les conditions pour obtenir des images à résolution limitée et qui peuvent être interprétées en termes de structure cristalline sont décrites. L'élucidation des structures de coeur de 30° dans du silicium déformé par comparaison d'images expérimentales et d'images calculées est discutée, de même quelques observations sur les dislocations de 60° sont faites. Finalement, les développements futurs des études de coeurs de dislocations par microscopie électronique à haute résolution sont soulignés.
Abstract
'Atomic images of silicon are described and it is shown that current HREMs are not capable of the resolution required for resolving single columns of atoms. The sensitivity of such images to changes in thickness and defocus is illustrated. Conditions are described for obtaining images, at restricted resolution, which may be interpreted directly in terms of the crystal structure. The elucidation of 30° core structures in deformed silicon by comparing experimental and computed images i s discussed, along with some observations of undissociated 60° dislocations. Finally, future prospects for core structure studies by HEM are outlined.