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J. Phys. Colloques
Volume 43, Number C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-165 - C1-170 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982123 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-165-C1-170
DOI: 10.1051/jphyscol:1982123
GRAIN-BOUNDARIES CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS ON Si (p) BICRYSTALS : MULTI-STEP RESONANCE TUNNELING CONDUCTION THROUGH TRAPS
V.K. Truong, J.J. Marchand et H. NodetLaboratoire de Physique de la Matière (ERA 544), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, Avenue Albert Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
Résumé
Les caractéristiques courant-tension I(V) ont été tracées pour des bicristaux Si(p) dopés à 1015/ cm3 en fonction de la température de 120 K à 293 K. Leur comportement peut-être interprété en termes de 2 régimes de conduction des porteurs traversant la double barrière de potentiel (SSB) constituée par le joint de grain. A haute température, l'effet thermoionique domine comme on l'observe couramment. Aux basses températures (T ≤ 230 K), nous montrons que la conduction éléctrique s'effectue par effet tunnel résonnant assisté par pièges. Un modèle est développé permettant de rendre compte de la courbe I(V) complète et de déterminer la hauteur de la barrière.
Abstract
We have plotted I(V) characteristics (current-voltage) for Si(p) bicrystals (1015/ cm3) versus temperature, from 120 K to 293 K. Carrier transport through the symmetrical Schottky barrier corresponding to the grain boundaries shows two behaviours. At high temperatures, as often observed, thermionic effect is dominant ; while, at low temperatures (T ≤ 230 K) we show that multi-step resonance tunneling occurs. We present a model allowing to describe the complete I(V) curves and to find the barrier height associated with grain boundaries.