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J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-437 - C7-442 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981754 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-437-C7-442
DOI: 10.1051/jphyscol:1981754
Max-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung Heisenbergstr.1, D-7000 Stuttgart 80, FRG
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-437-C7-442
DOI: 10.1051/jphyscol:1981754
PICOSECOND LUMINESCENCE STUDIES OF HOT CARRIER RELAXATION IN PURE AND HIGHLY DOPED GaAs
W. Graudszus et E.O. GoebelMax-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung Heisenbergstr.1, D-7000 Stuttgart 80, FRG
Résumé
Nous avons comparé le comportement de relaxation des porteurs excités optiquement dans GaAs pur et GaAs de type p avec un dopage fort de Si (p=5x1018cm-3). Nous observons une relaxation retardée dans les queues de bande pourvu de matériau fortement dopé. Une vitesse de relaxation d'approximativement 1.8x108eVs-1 est obtenue pour le remplissage des queues de bande.
Abstract
We have compared the relaxation behaviour of optically excited carriers in pure and highly doped p-type GaAs (p=5x1018cm-3). We observe a delayed relaxation within the tail states of the highly doped material. A relaxation rate of about 1.8x108eVs-1 is obtained for the filling of the tail states.