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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-191 - C3-200 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974328 | |
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-191-C3-200
DOI: 10.1051/jphyscol:1974328
LUMINESCENCE. SPECTROSCOPIE DE DÉFAUTS II
E. GÖBEL and M. H. PILKUHN
Physikalisches Institut, Universität Stuttgart
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-191-C3-200
DOI: 10.1051/jphyscol:1974328
LUMINESCENCE. SPECTROSCOPIE DE DÉFAUTS II
LASER TRANSITIONS IN DIRECT GAP SEMICONDUCTORS
E. GÖBEL and M. H. PILKUHN Physikalisches Institut, Universität Stuttgart
Résumé
On fait la récapitulation des transitions laser impliquant des porteurs libres, des excitons et des états liés dans les semiconducteurs à gap direct. Les problèmes des transitions bande à bande et des interactions des excitons à haut niveau d'excitation sont discutés conjointement avec des résultats expérimentaux récents sur l'effet laser dans du GaAs de haute pureté.
Abstract
The laser transitions involving free carriers, excitons, and bound states in direct gap semiconductors are reviewed. The problems of band-to-band transitions and exciton-interactions at high excitation level are discussed in connection with recent experimental results of lasing in high purity GaAs.