POINT DEFECTS AND DISLOCATION CLIMB IN III-V COMPOUNDS SEMICONDUCTORS

Résumé
Le phénomène de montée de dislocations dans les semiconducteurs du type III-V est ici examiné. Les domaines où l'information expérimentale est nécessaire à une meilleure compréhension sont discutés. Un modèle de montée de dislocations nécessitant la sursaturation de défauts ponctuels d'un seul élément est trouvé cohérent avec les principales observations expérimentales. La montée rapide des dislocations est attribuée à la diffusion accélérée des défauts ponctuels sous l'effet de la recombinaison. Finalement l'interaction entre le réseau de dislocations de montée et un niveau donneur profond suggère une association possible de ce centre donneur avec la source de défauts ponctuels nécessaire à la montée dans les structures Ga_1-xAl_xAs.

Abstract
This paper reviews the low temperature dislocation climb process in III-V compounds semiconductors and points out areas in which more experimental information is needed to understand this complex problem. A dislocation climb model requiring the supersaturation of point defects of only one element of the coumpound is found to account for the main climb features. Rapid dislocation climb is attributed to recombination enhanced defect motion. Finally evidence of an interaction between the climb dislocations and a deep level donor center suggest that it might possibly be associated with the source of point defects needed for dislocation climb in Ga_1-xAl_xAs structures.