Issue
J. Phys. Colloques
Volume 40, Number C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
Page(s) C6-181 - C6-183
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979637
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors

J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-181-C6-183

DOI: 10.1051/jphyscol:1979637

CALCULATIONS OF DISLOCATION PIPE DIFFUSION

J. Mimkes

Fachbereich Physik, Gesamthochschule Paderborn, F.R.G.


Résumé
Les mesures de profils de diffusion ont été interprétées à partir de la solution complète de l'équation de la diffusion dans le canal des dislocations. Deux paramètres ont été ajustés : la diffusivité dans le canal des dislocations D', et le rayon du canal des dislocations a. Les valeurs obtenues pour D' se trouvent en bon accord avec celles déjà données par d'autres auteurs. Par contre les valeurs obtenues pour a sont souvent plus élevées, à cause des erreurs expérimentales dans la détermination de la densité de dislocations. Cependant, la zone de concentration élevée n'est pas limitée au coeur des dislocations ; elle dépend de la diffusivité en volume D, et peut être caractérisée par le rayon effectif de la diffusion le long des dislocations, R = 2√Dt.


Abstract
Experimental diffusion profiles have been analyzed by a complete solution of the pipe diffusion equations, using two fitting parameters, pipe diffusivity D' and dislocation pipe radius a. The pipe diffusivity D' agrees well with values obtained by other authors. The pipe radius often turns out very large due to the inaccuracy of the experimental dislocation density. However, the area of high concentration along the dislocation is not confined to the dislocation core, but depends on the diffusivity D of the bulk and may be characterized by an effective diffusion pipe radius R = 2√Dt.