MOTION OF PARTIAL DISLOCATIONS

Résumé
On étudie l'influence des contraintes élevées sur la largeur de dissociation des dislocaions dans silicium dopé et dans le germanium pur. Tandis que pour un dopage au bore (B) (8.3 x 10¹⁸cm^-3) aucune influence n'a été observée, on remarque, par contre, que les dislocations vis se sont resserrées pour un dopage au phosphore (7 x 10¹⁸cm^-3) ; ceci signifie que les deux partielles "30°" ont approximativement la même mobilité. Pour les dislocations "60°", celles dont la partielle "90°" est en tête est la plus rapide. Dans le Ge, on trouve également une différence entre la mobilité des partielles, mais, la variation des valeurs mesurées est prononcée. On a, en outre, redéterminé l'énergie des fautes d'empilement pour le Si pur (γ = 58 ± 6 mJ/m²) et le Ge (γ= 75 ± 10 mJ/m²).

Abstract
The influence of high stress on the dissociation width of dislocations in doped Si and pure Ge was investigated. Whereas high B-doping (8.3 x 10¹⁸ cm^-3) has no influence, in p-doped (7 x 10¹⁸ cm^-3) crystals we find all screw dislocations narrowed ; i.e. both 30° partials have about the same mobility. 60° dislocations having their 90° partial in front are faster in this material and in Ge than are 60° dislocations with the reversed order of partials. In Ge a difference in mobilities of the partial dislocations is found too ; but the variation of the measured values is pronounced. The stacking fault energies of pure Si (γ = 58 ± 6 mJ/m²) and Ge (γ = 75 ± 10 mJ/m²) are redetermined.