STATISTICS OF KINK FORMATION ON DISSOCIATED DISLOCATIONS

Résumé
En se fondant sur le concept de double décrochement, on a développé un modèle prédisant la vitesse des dislocations en fonction de la contrainte et de la température. Ce modèle rend compte de la dissociation des dislocations dans les cristaux semiconducteurs et de l'existence de constrictions (comme obstacles au mouvement latéral des doubles crans). On le compare à des mesures de V(τ) dans le Ge, Si et GaAs.

Abstract
A model for the dislocation velocity depending on stress and temperature is developed based on the concept of the double kink mechanism. It takes into account the dissociation of dislocations in semiconductor crystals and the existence of constrictions (as obstacles for the lateral kink motion). It is compared with v(τ)-measurements in Ge, Si and GaAs.