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J. Phys. Colloques
Volume 40, Number C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
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| Page(s) | C6-111 - C6-116 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979623 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-111-C6-116
DOI: 10.1051/jphyscol:1979623
KINK FORMATION AND MIGRATION AS DEPENDENT ON THE FERMI LEVEL
P. HaasenInstitut für Metallphysik, University Göttingen, F.R.G.
Résumé
Les dislocations dans les semiconducteurs de structure diamant se déplacent par la formation et migration des décrochements. Ces processus sont analysés théoriquement et dans leurs manifestations expérimentales : selon le dopage et la température, une charge électrique aide à la formation des décrochements. Cela a des conséquences importantes pour la déformation sous illumination et dans un électrolyte.
Abstract
Dislocations in the diamond cubic structure (D.S.) move by the formation and spreading of kinks. These processes are analysed both theoretically and in their experimental manifestations. Depending on doping and temperature a charge on the dislocations helps in kink formation. This has important consequences for deformation under illumination and in an electrolyte.