| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Number C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C6-107 - C6-109 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979622 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-107-C6-109
DOI: 10.1051/jphyscol:1979622
Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, France.
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-107-C6-109
DOI: 10.1051/jphyscol:1979622
MAGNETIC PROPERTIES OF DISLOCATIONS, SPIN POLARONS
J.F. GouyetLaboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, France.
Résumé
Cette note examine les caractéristiques des polarons magnétiques induits sur les dislocations du silicium par des électrons photocrées.
Abstract
We examine in this note the characteristics of magnetic polarons induced on dislocations by photocreated electrons in silicon.