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J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEIMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION |
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| Page(s) | C5-49 - C5-60 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973511 | |
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-49-C5-60
DOI: 10.1051/jphyscol:1973511
PRODUCTION DES DÉFAUTS PAR IRRADIATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS
J. C. BOURGOINGroupe de Physique des Solides de l'ENS Université Paris VII, Tour 23 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
Résumé
Les différentes étapes qui gouvernent la production des défauts sont décrites. L'accent est placé sur les problèmes non encore résolus tels que la détermination de l'énergie du seuil de déplacement, la mobilité des interstitiels à basse température, la nature des défauts dans les zones très fortement désordonnées. Des mécanismes de type électronique susceptibles d'induire ou d'accélérer la mobilité de défauts de type interstitiel ou lacunaire sont proposés et discutés.
Abstract
The different stages which govern the defect production are described. Emphasis is placed on unresolved problems, such as the determination of the threshold energy for displacement, the mobility of the insterstitials at low temperature, the nature of the damage in highly disordered regions. Electronic mechanisms which could induce or enhance the mobility of interstitial- or vacancy-type defects are proposed and discussed.