IN SITU PROCESSING OF InP BY FLASH LPCVD FOR SURFACE PREPARATION AND GATE OXIDE DEPOSITION

Résumé
Des films de silice sont réalisés dans un réacteur CVD opérant à basse pression, refroidi par air et eau et commandé par chauffage optique rapide. Des vitesses de dépôt allant jusqu'à 100 Å/sec sont obtenues sous un flash thermique de 700°C. Ces dépôts sont effectués sur InP sans que sa surface soit endommagée. Les structures InP/SiO₂ ainsi formées ont d'excellentes propriétés électriques adaptées aux exigences du MISET. L'amélioration des propriétés d'interface de cette structure est obtenue par exposition de la surface d'InP au silane avant le dépôt d'oxide. Une étude de surface indique que le silane réduit les oxydes natifs d'InP.

Abstract
Silicon dioxide films deposited on InP substrates are obtained in a reduced pressure, air and water cooled CVD reactor, with a rapid thermal heating. It is shown that a 700°C temperature flash results in SiO₂ deposition rates close to 100 Å/sec. High temperature deposition (700°C) is thus obtained in few seconds on InP substrates without any surface damage. These layers display excellent electrical properties well suited for MISFET applications. Improvement of the interface properties of this structure is obtained by flowing silane on the InP substrate prior to oxide deposition. Interface studies show that silane reduces the InP native oxides.