DEPLETION AND ENHANCEMENT MODE Si₃N₄/GaInAs MISFETs WITH NO CURRENT DRIFT

Résumé
Des transistors MISFETs à canal N, fonctionnant en mode désertion et enrichissement et ne présentant aucune dérive du courant drain source ont été fabriqués sur des couches épitaxiales de Ga_0.47In_0.53As obtenues par la méthode MOVPE à pression réduite. Ces dispositifs utilisent un procédé de passivation qui inclut un retrait de l'oxyde natif de la surface de GaInAs suivi par un dépôt de Si₃N₄, les deux étapes étant réalisées en plasmas multipolaires. Les transistors MISFETs fonctionnant en mode désertion et enrichissement (L_g = 2 µm, W = 200 µm) ont une transconductance de 140 et 150 mS/mm, respectivement. Aucune dérive du courant drain source n'apparaît en 10⁵ s pour les deux types de dispositifs grâce à ce procédé de passivation et en particulier à l'absence d'oxyde à l'interface.

Abstract
N-channel depletion and enhancement mode MISFETs with no drain current drift have been fabricated on Ga_0.47In_0.53As epitaxial structures grown by low pressure MOVPE. These devices use a passivation process which includes removal of native oxide from GaInAs surface followed by a Si₃N₄ film deposition, both steps performed using multipolar plasmas. Depletion and enhancement mode MISFETs (L_g = 2 µm, W = 200 µm) exhibit an extrinsic transconductance of 140 and 150 mS/mm, respectively. No drain current drift is observed in 10⁵ s for both types of devices due to the efficiency of the passivation process and especially to the absence of oxide at the interface.