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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-191 - C4-194 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988439 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-191-C4-194
DOI: 10.1051/jphyscol:1988439
DEGRADATION OF THE POLY-Si/SILICIDE STRUCTURE IN ADVANCED MOS-TECHNOLOGIES
P. LIPPENS1, K. MAEX1, L. VAN den HOVE1, R. DE KEERSMAECKER1, V. PROBST2, W. KOPPENOL3 et W. van der WEG31 Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, B-3030 Heverlee, Belgium
2 Siemens AG, Central Research and Development, Otto-Hahn-Ring 6, 0-8000 München 83, F.R.G.
3 Department of Atomic and Interface Physics, Utrecht State University, PO Box 80000, NL-3508 TA Utrecht, The Netherlands
Résumé
L'interaction dans le système poly-Si sur Tisi2 sur un substrat de Si et dans le système polycide avec CoSi2 ainsi qu'avec TiSi2 est analysée quand ils sont soumis à une température élevée dans un four classique. On démontrera que le premier système souffre d'instabilité due à la croissance epitaxiale dans la phase solide qui peut seulement être évitée partiellement par le dopage de la couche poly-Si. Le système polycide montre une couche de TiSi2 qui est devenue rude et qui pourrait poser des problèmes pour des couches poly-Si initialement plus minces que 450 nm. Dans le cas de CoSi2, la dégradation est désastreuse : le métal Co peut être détecté partout dans la couche poly-Si, ce qui est à peine évitable même par un dopage du CoSi2 avec As ou B.
Abstract
The interaction in the system poly-Si on TiSi2 on Si and in the polycide system both with CoSi2 and TiSi2 is investigated when subjected to furnace heat treatments at high temperature. It will be shown that the first system suffers from instability due to SPE-regrowth which is partially avoided by doping the poly-Si. The polycide system shows severe roughening of the TiSi2. However, in the case of CoSi2, the degradation is more pronounced, viz. the Co is detected all over the poly-Si layer and this can hardly be suppressed by doping of the CoSi2-layer.