| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-105 - C4-108 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988422 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-105-C4-108
DOI: 10.1051/jphyscol:1988422
1 SGS-Thomson Microelectronics, BP 217, F-38019 Grenoble Cedex, France
2 PLESSEY Research Ltd, Allen Clark Research Centre, Caswell Towcester, Northants, GB-NN12 8EQ, Great-Britain
3 Telefunken Electronic GmbH, Therensien Strasse, Postfach 1109, D-1700 Heilbronn, F.R.G.
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-105-C4-108
DOI: 10.1051/jphyscol:1988422
A TRENCH ISOLATED HIGH SPEED BIPOLAR PROCESS FOR A 10K GATE, 950MHz, VLSI CIRCUIT
C. MALLARDEAU1, M. ROCHE1, M. DEPEY1, F. DELL'OVA1, D. THOMAS1, D. CELI1, P. HUNT2 et A. HEFNER31 SGS-Thomson Microelectronics, BP 217, F-38019 Grenoble Cedex, France
2 PLESSEY Research Ltd, Allen Clark Research Centre, Caswell Towcester, Northants, GB-NN12 8EQ, Great-Britain
3 Telefunken Electronic GmbH, Therensien Strasse, Postfach 1109, D-1700 Heilbronn, F.R.G.
Résumé
Une technologie bipolaire rapide, de dimension critique micronique, utilisant l'isolement par sillons et un émetteur en polysilicium a été évaluée et caractérisée. Une démonstration du rendement de la technologie a été réalisée sur un circuit VLSI de 10000 portes.
Abstract
A one micron bipolar process using trench isolation and polysilicon emitter has been evaluated and characterised. The demonstration of yield was achieved on a 10000 gate VLSI circuit.