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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-797 - C4-800 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884167 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-797-C4-800
DOI: 10.1051/jphyscol:19884167
ELECTROLUMINESCENCE FROM SILICON DEVICES -A TOOL FOR DEVICE AND MATERIAL CHARACTERIZATION-
K. PENNERSiemens AG, Corporate Research and Technology, Microelectronics, Otto-Hahn-Ring 6, D-8000 München 83, F.R.G.
Résumé
La lumière généré à l'intérieur d'un composant de silicium donne à la même fois des informations sur le fonctionnement du composant ainsi que sur les matériaux utilisé. On a installé un système d'enregistrement photographique amélioré avec une sensibilité spectrale du proche UV à proche IR (300-1200nm) qui permit l'enregistrement de phénomène d'électroluminescence diverses, avec une résolution temporelle et spatiale très haut.
Abstract
The light distribution generated by electroluminescence phenomena inside silicon devices yields information on the functioning of the devices as well as on the materials used. An improved camera system has been installed, with a spectral sensitivity from near UV to near IR (300-1200nm) allowing the registration of various electrolumiscence phenomena, with high temporal and spatial resolution.