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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-787 - C4-790 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884165 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-787-C4-790
DOI: 10.1051/jphyscol:19884165
THE IMPACT OF DIFFERENT HOT-CARRIER-DEGRADATION COMPONENTS ON THE OPTIMIZATION OF SUBMICRON n-CHANNEL LDD TRANSISTORS
P.T.J. BIERMANS, T. POORTER et H.J.H. MERKS-EPPINGBROEKPhilips Research Laboratories, PO Box 80.000, NL-5600 JA Eindhoven, The Netherlands
Résumé
Mesurer ƊIds/Ids durant uniquement une courte période de temps en vue de caractériser la dégradation due aux porteurs chauds, des transistors submicroniques au drain légèrement dopé, peut mener à des prédictions erronées de la durée de vie de ces transistors. L'évaluation des composants de dégradation ƊRs, - Ɗβ/β et ƊVT est proposée. Une explanation physique de l'origine de ces composants est avancée conjointement avec leur dépendance de la dose n- de la région du drain légèrement dopé.
Abstract
Measuring ƊIds/Ids for only a short time period to characterize the hot-carrier degradation of submicron LDD transistors can lead to erroneous predictions of the transistor lifetime. Evaluation of the degradation components ƊRs, - Ɗβ/β et ƊVT is proposed. A physical explanation for the origin of these components is provided together with their dependence on the n- dose of the LDD region.