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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-59 - C4-62 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988411 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-59-C4-62
DOI: 10.1051/jphyscol:1988411
OSIRIS II, A TWO-DIMENSIONAL PROCESS SIMULATOR FOR SIMOX STRUCTURES
I. SWEID, N. GUILLEMOT et G. KAMARINOSINPG/ENSERG, Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs. CNRS-UA 840, 23, Av. des Martyrs. F-38031 Grenoble Cedex, France
Résumé
La simulation des processus technologiques est très importante pour la fabrication des circuits intégrés. Dans cet article, les auteurs présentent OSIRIS II simulateur technologique sur SIMOX. Le programme prend en compte les conditions limites propres à cette structure. Les modèles utilisés sont brièvement rappelés. Un exemple de réalisation d'un dispositif N-MOS sur SIMOX est simulé par le programme.
Abstract
The simulation of technological processes is very important for the fabrication of integrated circuits. In this paper, the authors present OSIRIS II for the simulation on SIMOX structures. The program takes into account the limiting conditions associated with this material. The models used are briefly recalled. Finally, a complete simulation of an N-MOS device on SIMOX is presented.