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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-511 - C4-514 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884106 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-511-C4-514
DOI: 10.1051/jphyscol:19884106
SHADOWING EFFECT IN SELF-ALIGNED CONTACTS
E. CAMERLENGHI, E. SERVIDA et M. TOSISGS-Thomson Microelectronics, Via C. Olivetti 2, Agrate Brianza (MI), Italy
Résumé
Une comparaison entre le dopage avec arsenic et phosphore des contacts auto-alignés par implantation ionique est présentée. En utilisant la simulation bidimensional pour le profil de dopage il a été possible expliquer la haute défectuosité mesurée des contacts dopés arsenic. Son origine dépend d'une insuffisant superposition entre la diffusion du contact et l'oxyde de champ, dû à un effet d'ombre dans une région critique du contact.
Abstract
A comparison between arsenic and phosphorus implanted self-aligned contacts is presented ; by using 2D process simulations the high leakage defectivity measured on the As contacts has been explained. Its origin arises from an insufficient overlap between the contact diffusion and the field oxide, due to a shadowing effect in a critical zone of the contact.