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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-169 - C5-173 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987533 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-169-C5-173
DOI: 10.1051/jphyscol:1987533
Centre National d'Etudes des Télécommunications, Laboratoire de Bagneux, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-169-C5-173
DOI: 10.1051/jphyscol:1987533
GROWTH, CHARACTERIZATION AND OPTICAL STUDIES OF InxGa1-xAs / InyAl1-yAs STRAINED-LAYER SUPERLATTICES ON InP
J.M. GERARD, J.Y. MARZIN et J. PRIMOTCentre National d'Etudes des Télécommunications, Laboratoire de Bagneux, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Des superréseaux contraints Inx Ga1-xAs/InyAl1-yAs, réalisés par épitaxie par jets moléculaires, ont fait l'objet d'une étude structurale (double diffraction X) et optique (photoluminescence,transmission). Les résultats obtenus permettent d'analyser séparément les effets liés aux contraintes et au confinement.
Abstract
InxGa1-xAs/InyAl1-yAs strained layer superlattices have been grown by molecular beam epitaxy. Structural (X-ray double diffraction) and optical (photoluminescence, transmission) studies have been performed. These data allow us to analyse separetely strain and confinement related effects in this system.