GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GaxIn1-xAsyP1-y/InP QUANTUM WELLS

C. STARCK; L. GOLDSTEIN; M. BOULOU; D. BONNEVIE; M. LAMBERT; C. AUDRY

doi:doi:10.1051/jphyscol:1987534

Numéro		J. Phys. Colloques Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987 3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures


Page(s)		C5-175 - C5-178
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987534

3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-175-C5-178
DOI: 10.1051/jphyscol:1987534

GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y/InP QUANTUM WELLS

C. STARCK, L. GOLDSTEIN, M. BOULOU, D. BONNEVIE, M. LAMBERT et C. AUDRY

Laboratoires de Marcoussis, CR-CGE, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France

Résumé
Dans cet article nous présentons les résultats de croissance et caractérisation de structures à puits quantiques GaInAs/InP et GaInAsP/InP. Les couches sont préparées par épitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses. Comme le démontre l'analyse des spectres de photoluminescence à basse température, les puits présentent des interfaces très abruptes. Nous interprétons la structure des spectres par des fluctuations d'épaisseur des puits d'une monocouche.

Abstract
We report on the growth and characterization of GaInAs/InP and GaInAsP/InP quantum wells structures. The epitaxial layers were prepared by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE). As revealed by low temperature photoluminescence, the wells exhibit sharp interfaces. We interprete the PL structures as one monolayer size fluctuations of the well thickness.