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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-865 - C2-868 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842198 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-865-C2-868
DOI: 10.1051/jphyscol:19842198
MINORITY CARRIER LIFETIME MEASUREMENTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES MONITORED BY A MICROPROCESSOR IN E.B.I.C, MODE
J.F. Bresse1, 2 et D. Rivière11 Lab. Microscopie Electronique, U.S.T.L., Place Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France
2 C.N.E.T., PMM/SPD, 196 rue de Paris, 92220 Bagneux, France
Résumé
Les mesures de décroissance du courant induit (E.B.I.C.) généré par un faisceau d'électrons près d'une jonction peuvent devenir une technique très flexible pour la détermination de la durée de vie des porteurs minoritaires dans un semiconducteur, si l'ensemble de l'expérience est piloté par un microprocesseur. Cette technique, adaptée dans notre cas aux semiconducteurs comme le silicium et le germanium, est un puissant moyen d'investigation si elle est couplée aux mesures en E.B.I.C. continu comme nous le montrons dans le cas de cellules solaires silicium.
Abstract
Electron Beam Induced Conductivities (E.B.I.C.) transient measurements monitored by a microprocessor can be a very flexible technique for the measurement of minority carriers lifetime in semiconductors. This technique adapted in our case for silicon and germanium becomes a very powerful tool in conjunction with continuous E.B.I.C. measurements, especially in the case of silicon solar cells.