| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-29 - C2-32 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984207 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-29-C2-32
DOI: 10.1051/jphyscol:1984207
1 CNR, Istituto LAMEL, Via Castagnozi, 1, 40126 Bologna, Italy
2 Instito Chimico, Facoltà d'Ingegneria, Università di Bologna, Italy
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-29-C2-32
DOI: 10.1051/jphyscol:1984207
THICKNESS DETERMINATION OF Al FILMS ON Si BY A MONTE CARLO CODE INCLUDING A SECONDARY FLUORESCENCE CORRECTION
A. Armigliato1, A. Desalvo1, 2, A . Garulli1 et R. Rosa11 CNR, Istituto LAMEL, Via Castagnozi, 1, 40126 Bologna, Italy
2 Instito Chimico, Facoltà d'Ingegneria, Università di Bologna, Italy
Résumé
On a introduit dans notre programme Monte Carlo une correction pour le rayonnement de fluorescence X dû aux raies caractéristiques du substrat dans une couche mince. Cette correction a été appliquée avec succès pour évaluer avec une meilleure précision l'épaisseur de couches d'Al sur Si.
Abstract
A correction for x-ray characteristic fluorescence in thin films on substrates has been successfully applied to Al films on Si in order to get a more accurate evaluation of their thicknesses.